半导体激光器陶瓷电路板

　　半导体激光器陶瓷电路板由薄的有源层、P型、N型限制层构成。有源层处在P型和N型之间，产生的PN异质结通过欧姆接触正向偏置，电流在覆盖整个激光器芯片的较大面积注入。

　　以GaAs激光器为例，散热及点接触部分对材料的选择有一定的要求，金属化基板的热学和电学性能好，是功率型LED封装、激光、紫外的材料，特别适用于多芯片封装(MCM)和基板直接键合芯片(COB)等的封装结构；同时也可以作为其他大功率电力半导体模块的散热电路基板，大电流开关、继电器、通信行业的天线、滤波器、太阳能逆变器等。目前，GaAs激光器基本采用的是陶瓷电路板，而陶瓷电路板中又以氧化铝、氮化铝陶瓷电路板zui为常用。

　　富力天晟科技（武汉）有限公司是一家从事平面、曲面非金属基电子电路板和电子元器件研发、生产、销售为一体的*，它背靠研发实力强大的武汉光电国家实验室，在电路板直接图形化方面拥有自己的技术优势。

　　公司主要产品是半导体激光器陶瓷电路板，如氧化铝陶瓷电路板、氮化铝陶瓷电路板、氧化锆陶瓷电路板、玻璃电路板、LED陶瓷电路板（包括二维和三维电路板）等，DPC技术制作而成。

　　半导体激光器陶瓷电路板金属层与陶瓷之间结合强度高、电学性能好，可以重复焊接，金属层厚度在1μm-1mm内可调，L/S分辨率可达到10μm，可直接实现电镀封孔，形成双面基板，为客户提供定制化、高密度电路板解决方案。

　　陶瓷电路板技术参数：

　　可焊性：可在260℃多次焊接，并可在－20～80℃内*使用

　　高频损耗：小，可进行高频电路的设计和组装

　　线/间距（L/S）分辨率：zui大可达20μm

　　有机成分：不含有机成分，耐宇宙射线

　    氧化层：不含氧化层，可以在还原性气氛中*使用