杰生半导体有限公司(图)-uv led模组-广东led模组

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LED灯珠的型号与规格小知识，作为LED灯珠业界的人士应该即使不能熟知，但也必须要对LED灯珠有一定的了解。下面为大家介绍一下。LED灯珠的规格：　　1.0.06W的，电压是2.5-3.5V，电流是20mA。　　2.0.5W的，电压是2.5-3.77V，电流是150mA。　　3.1W的，电压是2.79-3.99V，电流是350mA。　　4.3W的，电压是3.05-4.47V，电流是700mA。　　5.5W的，电压是3.16-4.88V，电流是1000mA。　　LED灯珠1W的电流：320-350mA ，选驱动一般是选300mA电流的，LED芯片大小30mil 、35mil、 40mil、 45mil。LED灯珠3W的电流：700mA ，驱动一般600mA ，LED芯片大小45mil 。 1W 3W电压都在3.0-3.6V之间，好点的3.2-3.4V。至于5W的单颗LED芯片一般是50mil以上的，led模组报价，其他参数尚不明确。一般用作照明用的LED灯珠由0.5w-5w的都有，工作电压在3-3.2V左右。

led大功率灯珠的LED芯片有哪些技术难题？尤其是大功率 LED 芯片，面临的主要技术难点主要是以下几个方面： 1、发光效率低 虽然各厂家量产的封装后的白光 LED 出光效率都达到 100lm/w 以上，但是相比较于小尺寸的 LED 芯片，其出光效率依然很低。大尺寸的 LED 芯片由于尺寸较大，当光线在器件内部传播时，光线通过的路程要比小尺寸的芯片经过的路程长，导致器件材料对光线的吸收概率较大，大量的光线被限制在器件内部无法出射，导致出光效率较低。 2、电流扩散不均匀 对于大功率 LED 芯片而言，需要大的电流驱动（一般为 350mA），为了得到均匀的电流扩散，需设计合理的电极结构以使得电流在 P 型层面得到均匀分布，大功率 LED 芯片由于芯片尺寸较大，同时 P 型层的电流很难在 P 型层面得到均匀扩散导致电流积聚在电极下方，造成电流拥挤效应。由于电流积聚效应，即电流主要集中在电极正下方区域，横向扩展比较小，电流分布很不均匀，导致局部电流密度过大。 3、光电特性不稳定 由于大功率 LED 芯片器件出光效率底下，广东led模组，大量光线被器件内部吸收，这些被吸收的光线在器件内部转换成热能，造成 LED 芯片结温的升高，结温的升高不但会造成光衰严，uv led模组价格，严重影响了 LED 芯片的寿命，同时温度的升高会导致芯片的蓝光波峰向长波长方向偏移（即红移），造成芯片的发光波长和荧光粉的激发波长不匹配，也会造成显色性的降低。 4、产业化研究光效远低于实验室研发水平 国际上主流的 LED 芯片厂商，虽然实验室研发已到达较高的水平，但是产业化的研究水平依然底下，造成其主要的原因是产业化不但要考虑到成本的需求同时还要兼顾生产工艺的复杂程度以及芯片良率的问题。

led直插灯珠分析LED驱动有哪些原理？正向压降(VF)和正向电流的(IF)关系曲线，由曲线可知，当正向电压超过某个阈值(约2V)，即通常所说的导通电压之后，可近似认为，IF与VF成正比。见表是当前主要超高亮LED的电气特性。由表可知，当前超高亮LED的高IF可达1A，而VF通常为2～4V。 由于LED的光特性通常都描述为电流的函数，而不是电压的函数，光通量(φV)与IF的关系曲线，因此，采用恒流源驱动可以更好地控制亮度。此外，LED的正向压降变化范围比较大(大可达1V以上)，而由上图中的VF-IF曲线可知，VF的微小变化会引起较大的，IF变化，从而引起亮度的较大变化。 LED的温度与光通量(φV)关系曲线，可知光通量与温度成反比，85℃时的光通量是25℃时的一半，而一40℃时光输出是25℃时的1．8倍。温度的变化对LED的波长也有一定的影响，因此，良好的散热是LED保持恒定亮度的保证。所以，采用恒压源驱动不能保证LED亮度的一致性，并且影响LED的可靠性、寿命和光衰。因此，超高亮LED通常采用恒流源驱动。