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韩国SL Bionics“半导体发光器件及其制造方法”获2022年韩国专利技术奖“洪大勇奖”

   2023-02-16 930
导读

11月4日,韩国SL Bionics宣布,凭借“半导体发光器件及其制造方法”专利获得2022年韩国专利技术奖“洪大勇奖”。  据悉,SL Bionics获奖的技术是一种将发出UVC光的液晶显示器(LED) 芯片周围制作成透镜状封装的技术

11月4日,韩国SL Bionics宣布,凭借“半导体发光器件及其制造方法”专利获得2022年韩国专利技术奖“洪大勇奖”。

  据悉,SL Bionics获奖的技术是一种将发出UVC光的液晶显示器(LED) 芯片周围制作成透镜状封装的技术,它通过折射率匹配,在芯片内部提取更多的光,最多可增加50%。这是一种将UVC-LED芯片封装成透镜形状的产品的量产技术。

  值得一提的是,该专利技术无需昂贵的模具即可量产1mm以下的超小型镜头,而且与传统技术相比,工艺步骤也很简单,在封装成本方面有很强的竞争力。

  据行家说UV了解,此前Silanna UV同样宣布在UVC-LED技术上有所突破,Silanna UV技术突破性在于短周期超晶格(SPSL)方法克服了困扰竞争性AlGaN UVC-LED技术的许多困难,通过调整合金晶格(alloy lattice)中铝和镓金属的比例,将光波长输出从340nm调整至210nm。

  多年来,UV-C制造商一直依赖传统的AlGaN配方,通过调整合金晶格中铝和镓金属的比例,可以产生从340nm到210nm的紫外线,但实际上,低于260nm的发射需要高Al 含量的AlGaN材料,但这可能会限制n型半导体和p型半导体的掺杂量,最终影响UVC LED的电气性能。

  而且,由于发射光的偏振,高铝含量的AlGaN在光的提取上也面临很多困难,尤其是在240nm以下的远紫外范围内。

  而SPSL技术使用了数百个交替的AlN和GaN层,可通过调整层的厚度来微调带隙和电导率, 从而优化UVC-LED的电气性能。该技术能够在较短波长下保持高功率和出色的使用寿命。据了解,Silanna UV已在235nm和228nm的器件生产中应用了该工艺。


 
(文/小编)
 
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