2月4日,晶盛机电宣布成功发布6英寸双片式SiC碳化硅外延设备,标志着晶盛机电在第三代半导体领域取得重大突破。
据介绍,晶盛机电用时两年开展6英寸双片式SiC外延设备的研发、测试与验证,在外延产能、运营成本等方面已取得国际领先优势,与单片设备相比,新设备单台产能增加70%,单片运营成本降幅可达30%以上,将对新能源产业产生积极影响。
发布会当天,晶盛机电也重点介绍了8英寸SiC衬底片。据介绍,晶盛机电经过一年的研发,成功生长出行业领先的8英寸N型SiC晶体,完成了6英寸到8英寸的扩径和质量迭代,实现8英寸抛光片的开发,晶片性能参数与6英寸晶片相当,今年二季度将实现小批量生产,有望助力我国在第三代半导体材料领域关键核心技术实现自主可控。
晶盛机电战略定位先进材料、先进装备市场,围绕硅、蓝宝石、碳化硅三大主要半导体材料开发一系列关键设备,业务同时延伸至化合物半导体材料领域。
SiC设备和SiC材料是晶盛机电当下发展的重点,设备涵盖长晶、抛光和外延设备,其中,SiC外延设备已实现批量销售;材料主要是6英寸导电型衬底,现阶段,晶盛机电正在宁夏建设“碳化硅衬底晶片生产项目”,投产后将年产40万片6英寸及以上导电型和半绝缘型SiC衬底。
上述最新成果之外,晶盛机电去年也取得了多项研究成果:首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉;建设了6英寸SiC晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线,实验线产品已通过下游部分客户验证。
得益于第三代半导体及其他业务不断取得突破,晶盛机电2022年业绩预增,总营收约101.34—113.27亿元,同比增长70%-90%;归属于上市公司股东的净利润约27.39—30.81亿元,同比增长60%-80%。(化合物半导体市场Jenny整理)